В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин
КИНЕТИКА ФОТОПРОВОДИМОСТИ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ
ВЫСОКОЧАСТОТНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ
Аннотация. <...> Приведены результаты численных исследований кинетики фотопроводимости при возбуждении полупроводника высокочастотными импульсами света произвольной формы. <...> Кинетика фотопроводимости при выполнении условий j 1 определяется зависимостью величины темпа генерации
от времени. <...> Она не зависит от времен жизни электронов и дырок. <...> Это позволяет восстановить временную форму высокочастотного импульса света. <...> Ключевые слова: кинетика фотопроводимости, рекомбинационные центры,
времена жизни электронов и дырок, восстановление сигналов. <...> The article introduces the results of numerical investigations of photoconductivity kinetics under the excitation of semiconductor by high-frequency pulses of
arbitrary-shaped light. <...> The kinetics of photoconductivity under the conditions
j 1 is determined by the dependency of the value of the generate rate on time. <...> Key words: photoconductivity kinetics, recombination centers, lifetimes of electrons
and holes, signal reconstruction
Введение
При регистрации высокочастотного оптического сигнала зависимость
фототока от времени не повторяет временную зависимость оптического сигнала. <...> Часто
требуется привести форму фототока к форме оптического сигнала (восстановления формы фотоэлектрического сигнала). <...> Зависимость фототока от времени в полупроводниках во многом определяется различными механизмами рекомбинации неравновесных носителей. <...> Какой конкретно механизм рекомбинации вносит более существенный
вклад в зависимость фототока от времени, определяется уровнями инжекции
неравновесных носителей заряда и степенью легирования полупроводника. <...> Кинетические кривые нарастания и спада фототока при возбуждении полупроводника импульсами света имеют сложный вид. <...> Теоретически процессы
спада и нарастания фототока при возбуждении часто описывают экспоненциальными или гиперболическими функциями. <...> В этом случае темпы рекомбинации избыточных носителей заряда ( Rn и R p ) задаются введением времен жизни <...> Гиперболический закон изменения <...>