Сагателян, Н.В. Макушина СОВРЕМЕННЫЕ ТРЕБОВАНИЯ К КРЕМНИЕВЫМ ПЛАСТИНАМ БОЛЬШОГО ДИАМЕТРА Рекомендовано редсоветом МГТУ им. <...> Современные требования к кремниевым пластинам большого диаметра: Учеб. пособие. <...> Описаны новые технологические операции, применяемые при производстве полупроводниковых пластин. <...> Н.Э. Баумана, 2006 ВВЕДЕНИЕ Целесообразность перехода к применению пластин кремния кристаллов размером 20Ч20 мм2, чем на пластине диаметром 100 мм. <...> При этом коэффициент заполнения пластины кристаллами такого размера при переходе от пластин диаметром 150 мм к пластинам диаметром 200 и 300 мм возрастает с 0,53 до 0,72 и до 0,84 соответственно. <...> На пластинах диаметрами 150, 200 и 300 мм можно разместить, соответственно, в 2; 4,5 и 12 раз больше пластины к другому капитальные затраты на производство одной пластины возрастают примерно на 40 %, однако при этом выход годных кристаллов увеличивается в 2,0–2,5 раза. <...> В настоящее время в мире действует или находится на стадии подготовки около 50 линий по производству пластин кремния диаметром 200 мм с производительностью до 10 тыс. пластин в месяц, и целый ряд компаний заявили о намерениях производить (или уже приступили к производству на пилотных линиях) пластины кремния диаметром 300 мм. <...> Задача технологического процесса обработки – удаление нарушений, возникших на первых этапах обработки, и получение плоской, свободной от механических повреждений поверхности пластин кремния с требуемыми параметрами плоскостности, которые закладываются на операциях шлифования свободным или связанным абразивом. <...> Последующие операции по удалению остаточных повреждений, например химико-механическое полирование, не должны приводить к деградации плоскостности. <...> Размерный ряд технологического оборудования для обработки пластин кремния в России не обновлялся с середины 1980-х годов, тогда как номенклатура изделий существенно изменилась (произошел переход от промышленного выпуска пластин диаметром <...> 
								
							
							
								
								
									
										Современные_требования_к_кремниевым_пластинам.pdf
										
                                            
                                            		
								                        
УДК 621.38 
ББК 32.843 
С12 
Рецензенты: А.А. Ефремов, С.В. Петров 
С12 
Сагателян Г.Р., Макушина Н.В. 
Современные требования к кремниевым пластинам большого 
диаметра: Учеб. пособие. – М.: Изд-во МГТУ им. 
Н.Э. Баумана, 2006. – 50 с.: ил. 
ISBN 5-7038-2926-7 
Приведены современные требования к геометрической точности изготовления 
пластин-подложек интегральных микросхем. Рассмотрены кремниевые 
подложки диаметром 150 и 200 мм, а также сапфировые подложки 
диаметром 100 мм. Описаны новые технологические операции, применяемые 
при производстве полупроводниковых пластин. 
Для студентов специальности «Проектирование и производство электронной 
аппаратуры» и «Проектирование и технология радиоэлектронных 
средств», изучающих курс «Микроэлектроника». 
Ил. 17. Табл. 8. 
УДК 621.38 
ББК 32.843 
Учебное издание 
Гайк Рафаэлович Сагателян 
Наталья Владимировна Макушина 
Современные требования к кремниевым пластинам 
Редактор Е.К. Кошелева 
Компьютерная верстка О.В. Беляевой 
Корректор Л.И. Малютина 
Подписано в печать 29.09.2006. Формат 60×84/16. Бумага офсетная. 
Печ. л. 3,25. Усл. печ. л. 2,91. Уч.-изд. л. 2,85. Тираж 200 экз. 
Изд. № 38. Заказ 
Издательство МГТУ им. Н.Э. Баумана. 
105005, Москва, 2-я Бауманская, 5. 
ISBN 5-7038-2926-7 
© МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2006 
								                        
									                        Стр.2
								                        
								                     
                                                
                                            		
								                        
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение ........................................................................................................ 3
1. Требования к полированным пластинам монокристаллического
кремния ...................................................................................................... 4
2. Особенности описания и основные группы геометрических
параметров пластин .................................................................................. 17
2.1. Геометрический рельеф поверхности пластины в прижатом
состоянии............................................................................................ 18
2.2. Толщина и однородность распределения толщины
по площади пластины........................................................................ 26
2.3. Геометрическая форма пластины в свободном состоянии
и рельеф поверхности........................................................................ 27
2.4. Доля годной поверхности ................................................................. 30
3. Новое в технологии обработки кремниевых пластин............................ 30
4. Требования к пластинам из сапфира....................................................... 40
5. Экономическая целесообразность перехода к пластинам
больших диаметров................................................................................... 47
50
								                        
									                        Стр.50