Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 611107)
Контекстум
Техника машиностроения  / №4 2014

ТЕХНОЛОГИЯ ФИНИШНОЙ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК КАРБИДА КРЕМНИЯ EPI-READY ДЛЯ ЭПИТАКСИИ (400,00 руб.)

0   0
Первый авторПопов
Страниц6
ID525579
АннотацияПредставлена технология химико-механического полирования подложек полуизолирующего карбида кремния политипа 6Н-SiC диаметром 3 дюйма, обеспечивающая шероховатость поверхности менее 2 A Описаны процессы финишной отмывки и упаковки подложек.
УДК621.382.029.64
Попов, В.В. ТЕХНОЛОГИЯ ФИНИШНОЙ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК КАРБИДА КРЕМНИЯ EPI-READY ДЛЯ ЭПИТАКСИИ / В.В. Попов // Техника машиностроения .— 2014 .— №4 .— С. 17-22 .— URL: https://rucont.ru/efd/525579 (дата обращения: 30.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

www.mashizdat.ru ЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.382.029.64 ТЕХНОЛОГИЯ ФИНИШНОЙ ПОДГОТОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК КАРБИДА КРЕМНИЯ EPI-READY ДЛЯ ЭПИТАКСИИ Попов В.В., канд. техн. наук, президент, ОАО «Светлана» Представлена технология химико-механического полирования подложек полуизолирующего карбида кремния политипа 6Н-SiC диаметром 3 дюйма, обеспечивающая шероховатость поверхности менее 2 A. <...> Описаны процессы финишной отмывки и упаковки подложек. <...> FINISH SURFACE PROCESSING TECHNOLOGY OF SIC EPI-READY WAFERS V.V. <...> technology of semi-insulating 6H-SiC 3-inch silicon carbide (SiC) wafers was presented. <...> Химико-механическое полирование (ХМП) – широко распространенная технология в производстве подложек для СВЧ приборов и устройств микро- и наноэлектроники. <...> Уникальная комбинация химического и механического взаимодействия рабочей жидкости, абразивных частиц и мягкого полировальника с поверхностью материала подложки приводит к ее эффективному полированию без образования нарушенных слоев [1]. <...> ХМП использует синергетический эффект физических и химических сил, что позволяет получить атомарно гладкую поверхность. <...> После освоения в ОАО «Светлана» технологии резки монокристаллов SiC [2], а также шлифовки и полировки подложек [3] встала задача по разработке технологии финишной подготовки поверхности подложек с качеством, пригодным для эпитаксии (epi-ready). <...> Основной проблемой в создании технологии ХМП подложек полуизолирующего карбида кремния (SiC) является достижение уровня шерохоПараметры Прогиб Bow, мкм Коробление Warp, мкм Шероховатость Ra, нм ватости поверхности Ra < 1 нм в силу высокой твердости и химической стойкости этого материала, а также отсутствие литературных данных по технологии ХМП для него. <...> Для подтверждения возможностей и выбора оборудования был проведен тест на станке 32GPAWTD всемирно известного производителя оборудования для шлифовки, полировки и ХМП фирмы SpeedFam на заводе в Тайване[4]. <...> Для испытаний станка были отобраны несколько подложек полуизолирующего SiC диаметром 3 дюйма, изготовленные в ЗАО <...>